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元件参数资料
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参数目录33572
> PBSS4032SPN,115 TRANS ARRAY NPN/PNP 30V SO8
型号:
PBSS4032SPN,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS ARRAY NPN/PNP 30V SO8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
PBSS4032SPN,115 PDF
特色产品
NXP - I2C Interface
标准包装
1,000
系列
-
晶体管类型
NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
5.7A,4.8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
450mV @ 300mA,6A / 510mV @ 250mA,5A
电流 - 集电极截止(最大)
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
250 @ 2A,2V / 150 @ 2A,2V
功率 - 最大
2.3W
频率 - 转换
140MHz,115MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
查看PBSS4032SPN,115代理商
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